Реферат кремний: Реферат на тему «Кремний, его свойства и применение в современной микроэлектронике»

Реферат на тему «Кремний, его свойства и применение в современной микроэлектронике»

Содержание

Введение
1. Кремний
2. Получение кремния для подложек интегральных схем
3. Физические и химические свойства
4. Физика и химия полупроводников
5. Применение кремния в современной микроэлектронике
Заключение
Список использованных источников

Введение

“…Кремний вырисовывается в мироздании как, элемент, обладающий исключительным значением”, – В. И. Вернадский.

Начиная с конца 1950-х гг., кремний становится ведущим полупроводниковым материалом благодаря успешному развитию методов зонной плавки для очистки полупроводников. По распространенности он второй элемент после кислорода. Кремний является основным компонентом ИС, транзисторов.

Чистый кремний (примесей может быть меньше 10%) — важнейший полупроводник, основа современной микроэлектроники, так как обладает уникальными свойствами: кремний технологичен, инертен в обычных условиях, выдерживает высокие температуры, сопровождающие процесс изготовления приборов и интегральных схем.

Для создания диэлектрических слоев нет необходимости специально искать диэлектрические материалы – собственный окисел SiO², формируемый на кремнии, выполняет Изолирующие и маскирующие функции. Его запасы практически безграничны.

1. Кремний

Кремний (лат. Silicium)

Si, химический элемент IV группы периодической системы Менделеева; атомный номер 14, атомная масса 28,086. В природе элемент представлен тремя стабильными изотопами: ²⁸Si (92,27%), ²⁹Si (4,68%) и ³⁰Si (3,05%).

Историческая справка. Соединения К., широко распространённые на земле, были известны человеку с каменного века. Использование каменных орудий для труда и охоты продолжалось несколько тысячелетий. Применение соединений К., связанное с их переработкой, — изготовление стекла  — началось около 3000 лет до н. э. (в Древнем Египте). Раньше других известное соединение К. — двуокись SiO

2 (кремнезём). В 18 в. кремнезём считали простым телом и относили к «землям» (что и отражено в его названии). Сложность состава кремнезёма установил И. Я. Берцелиус. Он же впервые, в 1825, получил элементарный К. из фтористого кремния SiF₄, восстанавливая последний металлическим калием. Новому элементу было дано название «силиций» (от лат. silex — кремень). Русское название ввёл Г. И. Гесс в 1834.

Чаще всего в природе кремний встречается в виде кремнезёма – соединений на основе кремния SiO₂ (около 12 % массы земной коры). Основные минералы и горные породы, образуемые диоксидом кремния – это песок, кварц, полевые шпаты. Вторую по распространенности в природе группу соединений кремния составляют силикаты и алюмосиликаты.

Нужна помощь в написании реферата?

Мы — биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим

бесплатно.

Заказать реферат

Кремний никогда не встречается в свободном состоянии в виде простого вещества, он всегда связан с кислородом и, за несколькими исключениями, всегда имеет координационное число 4. Структурные единицы {Si04} могут существовать в виде отдельных частиц или соединяться, образуя цепи, ленты, кольца, слои или трехмерные каркасы

2. Получение кремния для подложек ИС

Существуют поли- и монокристаллы кремния. Поликристалл состоит из множества монокристаллических зёрен с разной ориентацией, тесно примыкающих друг к другу. В поликристалле отсутствует регулярность структуры (анизотропия свойств). Монокристалл кремния представляет собой сплошную упорядоченную структуру с анизотропными свойствами (анизотропные свойства – это зависимость электрических, механических и химических свойств от направления кристаллической решётки).

Технология изготовления монокристаллов полупроводникового кремния состоит из следующих этапов:

• Получение технического кремния;
• Превращение кремния в легколетучее соединение, которое после очистки может быть легко восстановлено;
• Очистки и восстановления соединения, получения кремния в виде поликристаллических стержней;
• Конечной очистки кремния методом кристаллизации;
• Выращивания легированных монокристаллов кремния.

Сырьем для получения кремния служит чистый диоксид кремния, который восстанавливают углеродом в печах при температуре около 1700 °С. Однако чаще кремний получают в виде сплава с железом (ферросилиций) или магнием. Ввиду того, что очи-стка технического кремния очень сложна, его обычно переводят в легколе-тучие производные (SiCl

4; SiHCl₃, SiH₄), которые подвергают глубокой ректификационной очистке. Из указанных соединений получают кремний сырец. Соответственно существуют три способа его получения.

В печи происходит ряд промежуточных реакций. Результирующая реакция может быть представлена в виде

SiC_(тв) + SiO_2(тв)→Si_(тв) + SiO_2(газ) + CO_(газ)

Технический кремний содержит 98. . .99% Si, 1. . .2% Fe, Au, B, P, Ca, Cr, Mg, Ni, Ti, V, Zn и др.

Современная технология производства поликристаллического кремния основана на процессе водородного восстановления трихлорсилана, восстановления тетрахлорида кремния цинком и пиролиза моносилана. Большую часть кремния (около 80%) получают путём водородного восстановления трихлорсилана (ТХС). Достоинства этого процесса – лёгкость и экономичность ТХС, эффективность очистки ТХС, высокое извлечение и большая скорость охлаждения кремния (извлечение кремния при использовании тетрахлорида кремния составляет 15%, а ТХС – не менее 30%), меньшая себестоимость продукции. ТХС обычно добывают путём гидрохлорирования кремния: взаимодействиятехнического кремния с хлористым водородом или со смесью газов, содержащих хлористый водород, при температуре 260…400ºС. ТХС содержит большое количество примесей, очистка от которых представляет сложную задачу.

Технически и экономически конкурентоспособным по сравнению с рассмотренным является метод получения поликристаллического кремния путём разложения силана SiH₄ высокой частоты.

Путём сплавления технического кремния и магния в водороде при 550 ºС получают силицид магния Mg₂Si, который затем разлагают хлоридом аммония по реакции Mg₂Si + 4NH₄Cl → SiH₄ +2MgCl₂ + 4NH₃ в среде жидкого аммиака при температуре 30 ºС. Отделяемый моносилан далее поступает на ректификационную очистку, в результате которой содержание примесей снижается до уровня менее 10^-8…10^-7%.

Очищенный ТХС восстанавливают и в результате получают поликристаллический кремний в атмосфере водорода на поверхности разогретых кремниевых стержней – основа диаметром 4. . .8 мм (иногда 30 мм):

Нужна помощь в написании реферата?

Мы — биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата.

Правки вносим бесплатно.

Подробнее

SiHCl_3(г) + H_2(г) → Si_(г) + 3HCl_(г)

Получение поликристаллических стержней кремния путем термического разложения моносилана SiH₄ производится по аналогичной методике при температурах 1000 °С. Образующийся при разложении водород SiH_4(Г) → Si_(T) + 2Н_2(Г) обладает высокой степенью чистоты и используется в сопутствующем производстве. В результате поликремний обладает более высокой степенью чистоты, чем кремний, получаемый восстановлением ТХС.

Далее методом Чохральского получают монокристаллы кремния, из которых основная часть используется для производства интегральных микросхем; незначительная часть (около 2%) идет на изготовление солнечных элементов. Метод эффективен для изготовления приборов, не требующих высоких значений удельного сопротивления (до 25 Ом · см) из-за загрязнения кремния кислородом и другими примесями.

3. Физические и химические свойства

Физические свойства кремния

Кремний, как и германий, образует твёрдые ковалентные кристаллы со структурой алмаза. Температура плавления кремния 1421 ºС. Постоянная решётки а = 0,543 нм, плотность кристаллов 2320 кг/м³. Кремний значительно легче германия, а также несколько темнее и прочнее. Подвижность электронов и дырок в монокристаллическом кремнии при комнатной температуре составляет μ

n=1500 см²/В с; μ_p=480 см²/В с. Как и в германии, в кремнии существуют два типа дырок: лёгкие с m_л* = 0,16m и тяжёлых m_т*=0,49m. Ввиду сравнительно большого значения ширины запрещённой зоны, удельное сопротивление чистого кремния, обладающего собственной проводимостью, составляет около 10⁵ ом см. Такой кремний должен содержать примесей не более чем 10⁸ см^-3.

Кремний является пьезоэлементом, и для него характерен как прямой, так и обратный пьезоэффект.

Прямой пьезоэффект – это процесс образования равных, но противоположных по знаку электрических зарядов на противоположных гранях некоторых кристаллических тел, называемых пьезоэлектриками, при давлении на эти тела.

Обратный пьезоэффект – это процесс сжатия или расширения пьезоэлектрика под действием электрического поля в зависимости от направления вектора напряженности поля. На этом физическом явление основан принцип работы кварцевых часов, кварцевый резонатор и др.

Химические свойства кремния

При комнатной температуре кристаллический кремний обладает малой реакционной способностью и реагирует только со фтором:

Si + 2F₂ = SiF_4.

Взаимодействие с другими элементами, в том числе с кислородом и галогенами, протекает только при нагревании до 500-600 ºС:

Нужна помощь в написании реферата?

Мы — биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.

Заказать реферат

Si + 2Cl₂ = SiCl_4.

Образование диоксида SiO₂ является экзотермической реакцией и сопровождается выделением значительного количества теплоты:

Si + O₂ = SiO₂;       ΔHº = -911 кДж

Кремний при высоких температурах обладает большим сродством к кислороду и к кислородсодержащим соединениям проявляет сильные восстановительные свойства. Например:

2H₂O_(г) + Si_(кр) = SiO_2(кр) + 2H_2(г),    ΔHº = -427 кДж,    ΔSº = -98 Дж/K,

Кремний по отношению к оксидам – гораздо более сильный восстановитель, чем водород.

С водными растворами обычных кислот кремний не реагирует, а кислоты-окислители пассивируют его, поскольку слой диоксида кремния не растворяется в кислотах. Однако кремний реагирует со смесью азотной и плавиковой кислот, так как согласно по принципу Пирсона объединяет “жёсткую” кислоту (Si⁴⁺) и “жёсткое” основание (F^—).

3Si +4HNO₃ +18HF = 3H₂[SiF₆] +4NO↑ +8H₂O

В щелочах диоксид растворим, и в присутствии ионов гидроксида кремний легко реагирует с водой даже, если pH раствора равен всего 8-9. В этих условиях реакция идёт фактически с образование SiO₂, а анионы OH^— играют роль катализатора, препятствующего образованию плотной плёнки на поверхности:

2H₂O + Si = SiO₂ + 2H₂↑

В более концентрированных щелочах при pH = 11 – 14 происходит растворение SiO₂ и реакция идёт иначе:

H₂O + Si + 2NaOH = Na₂SiO₃ + 2H₂↑

4. Физика и химия кремния

В сверхчистом (полупроводниковом) кремнии между высшими занятыми энергетическими уровнями (валентная зона) и низшими свободными (зона проводимости) существует запрещенная зона. Валентная зона полностью занята, зона проводимости свободна, уровень Ферми E_F (энергетический уровень, вероятность заполнения которого равна 1/2) располагается приблизительно посередине между ними, и вещество при комнатной температуре является изолятором. Если кремний легирован элементом 15-й группы (Р, As или Sb), каждый атом легирующей добавки вносит «избыточный» электрон; эти электроны могут быть переведены в зону проводимости посредством термического возбуждения или за счет поглощения фотонов: вещество является полупроводником n-типа с энергией активации ΔЕn (n обозначает носители отрицательного заряда, т.е. электроны). Напротив, легирование элементами 13-й группы (В, Аl или Ga) приводит к появлению акцепторных уровней, которые могут служить ловушками для возбужденных электронов из заполненной валентной зоны: вещество является полупроводником р-типа, носителями заряда служат положительные дырки в валентной зоне.

Если полупроводник n-типа на основе Si соединить с полупроводником р-типа, то образующийся p-n-переход имеет общий уровень Ферми: электроны начинают переходить от п- к р-образцу, а дырки в обратную сторону, и таким образом из-за пространственного разделения зарядов возникает разность потенциалов V₀. следовательно, р-п-переход может действовать как диод для выпрямления переменного тока, так как ток в одном направлении проходит легче, чем в другом. На практике большие p-n-переходы могут достигать 10 мм², в то время как в интегральных схемах их площадь не превышает 10 мм² (т.е. квадрат со стороной 10 мкм).

Нужна помощь в написании реферата?

Мы — биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Наша система гарантирует сдачу работы к сроку без плагиата. Правки вносим бесплатно.

Цена реферата

Транзистор, или n-p-n-переход состоит из двух частей n-полупроводника на основе Si, разделенных тонким слоем слабого р-полупроводника. Если эмиттер смещен на небольшой потенциал в прямом направлении, а коллектор на больший потенциал в обратном направлении, это устройство работает как триод-усилитель.

Промышленное производство мельчайших, устойчивых в работе транзисторов на основе монокристаллов — это триумф методов твердотельного химического синтеза.

1. Маленькую пластинку монокристаллического кремния n-типа окисляют путем нагревания в О₂ или парах Н₂О, при этом на поверхности образуется тонкий слой SiO₂.
2. Этот оксидный слой покрывают фоточувствительной пленкой, называемой фоторезистом.
3. На фоторезист помещают маску и подвергают его облучению ультрафиолетом, при этом облучению подвергается только открытая часть фоторезиста; облученный фоторезист затем удаляют действием кислоты, в результате остается требуемая часть прочного оксидного покрытия.
4. Незащищенные участки Si подвергают травлению плавиковой кислотой (HF), оставшийся фоторезист также удаляется.
5. Поверхность обрабатывают парами элемента 13-й группы, примесные атомы диффундируют в незащищенные участки и образуют слой Si р-типа.
6. Стадии 1-5 повторяют с другой маской, и новые участки обрабатывают парами элемента 15-й группы, при этом образуется слой Si n-типа.
7. Наконец, поверхность подвергается повторному окислению с новой маской и затем повторному травлению, на образующиеся открытые участки осаждают металл, чтобы соединить п- и р-участки в интегральную схему.

Этим методом можно производить невероятно маленькие p-n-диоды и n-p-n-транзисторы. Например, в запоминающих устройствах компьютеров микрочип может хранить свыше 10⁵ бит информации.

5. Применение кремния в современной микроэлектронике

Кремний основной материал современной электронной техники. Он идёт на изготовление практически всех существующих в настоящее время полупроводниковых приборов (транзисторов, тиристоров, диодов и др.) и изделий микроэлектроники – интегральных устройств. Интегральные микросхемы (ИМС) – основное изделие в использовании кремния в настоящее время. Кремниевые ИМС и микропроцессоры являются основными компонентами вычислительной техники и автоматики. Кремний активно используется в солнечных батареях, непосредственно трансформирующих излучение солнца в электричество. Так же используется в кварцевых резонаторах, кварцевых часах и во многих других приборах.

Список использованных источников

1. Химическая энциклопедия: в 5-ти тт. / Редкол.:Кнунянц И. Л. (гл. ред.). — Москва: Советская энциклопедия, 1990. — Т. 2. — С. 508. — 671 с. — 100 000 экз.
2. Химия элементов : в 2 томах. / Н. Гринвуд, А. Эрншо ; пер. с агл. – М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. — (Лучший зарубежный учебник), 607 с. : ил.
3. Кремний — элемент жизни. Экология и медицина. — СПб.: «Издательство «ДИЛЯ», 2008. — 448 с. Серия «Исцелит тебя Надежда!»
4. Общая химия: Учебник для вузов. — 4-е изд., исправл. – СПб: Химиздат, 2000. – 624 с.: ил.
5. Общая и неорганическая химия : учеб. для вузов : в 2 т. / под редакцией А. Ф. Воробьёва – 544 с.: ил.
6. Ежовский Ю. К. Введение в технологию материалов электронной техники: учебное пособие. – СПб.: СПбГТИ (ТУ), 2012. – 108c.
7. Технологические основы производства полупро-водниковых интегральных схем: учебное пособие / М.Ф. Жаркой; Балт. гос. техн. ун-т. – СПб., 2016. – 123 с.
8. Жидкий кремний: новая перспектива микроэлектроники // Портал: ZOOM CNews – [Электронный ресурс]. URL http://zoom.cnews.ru/rnd/news/top/zhidkij_kremnij_novaya_perspektiva_mikroelektroniki (Дата обращения 10.11.2016)

Напишите реферат про кремний пожалуйстааа

Кремний в живых организмах.

Кремний в организме находится в виде различных соединений, участвующих главным образом в образовании твёрдых скелетных частей и тканей. Особенно много К. могут накапливать некоторые морские растения (например, диатомовые водоросли) и животные (например, кремнероговые губки, радиолярии), образующие при отмирании на дне океана мощные отложения двуокиси кремния. В холодных морях и озёрах преобладают биогенные илы, обогащенные К., в тропических морях — известковые илы с низким содержанием К. Среди наземных растений много К. накапливают злаки, осоки, пальмы, хвощи. У позвоночных животных содержание двуокиси кремния в зольных веществах 0,1—0,5%. В наибольших количествах К. обнаружен в плотной соединительной ткани, почках, поджелудочной железе. В суточном рационе человека содержится до 1 г К. При высоком содержании в воздухе пыли двуокиси кремния она попадает в лёгкие человека и вызывает заболевание —Силикоз (от лат. silex — кремень),заболевание человека, вызываемое длительным вдыханием пыли, содержащей свободную двуокись кремния, относится к профессиональным болезням. Встречается у рабочих горнорудной, фарфорофаянсовой, металлургической, машиностроительной промышленности. С. — наиболее неблагоприятно протекающее заболевание из группы пневмокониозов; чаще, чем при других заболеваниях, отмечаются присоединение туберкулёзного процесса (т. н. силикотуберкулёз) и другие осложнения.

История открытия и использование.

Историческая справка. Соединения К., широко распространённые на земле, были известны человеку с каменного века. Использование каменных орудий для труда и охоты продолжалось несколько тысячелетий. Применение соединений К., связанное с их переработкой, — изготовление стекла — началось около 3000 лет до н. э. (в Древнем Египте). Раньше других известное соединение К. — двуокись SiO2 (кремнезём). В 18 в. кремнезём считали простым телом и относили к «землям» (что и отражено в его названии). Сложность состава кремнезёма установил И. Я. Берцелиус. В свободном состоянии кремний впервые был получен в 1811 году французским учёным Ж. Гей-Люссаком и О. Тенаром. В 1825 году шведский минералог и химик Иенс Якоб Берцелиус получил аморфный кремний. Бурый порошок аморфного кремния был получен восстановлением металлическим калием газообразного тетрафторида кремния:

SiF4 + 4K = Si + 4KF

Позже была получена кристаллическая форма кремния. Перекристаллизацией кремния из расплавленных металлов были получены серого цвета твёрдые, но хрупкие кристаллы с металлическим блеском. Русские названия элимента кремния ввёл в обиход Г. И. Гесс в 1834 году.

Распространение в природе.

Кремний после кислорода – самый распространённый элемент (27,6%) на земле.Это элемент, который входит в большинство минералов и горных пород, составляющих твёрдую оболочку земной коры. В земной коре К. играет такую же первостепенную роль, как углерод в животном и растительном мире. Для геохимии К. важна исключительно прочная связь его с кислородом. Наиболее широко распространённые соединения кремния – оксид кремния SiO2 и производные кремниевых кислот, называемые силикатами. Оксид кремния (IV) встречается в виде минерала кварца (кремнезем, кремень). В природе из этого соединения сложены целые горы. Попадаются очень крупные, массой до 40 тонн, кристаллы кварца. Обычный песок состоит из мелкого кварца, загрязнённого различными примесями. Ежегодное мировое потребление песка достигает 300 млн. тонн.

Из силикатов наиболее широко в природе распространены алюмосиликаты (каолин Al2O3*2SiO2*2h3O, асбест CaO*3MgO*4SiO2, ортоклаз K2O*Al2O3*6SiO2 и др. ). Если в состав минерала кроме оксидов кремния и алюминия входят оксиды натрия, калия или кальция, то минерал носит название полевого шпата (белая слюда и др.). На долю полевых шпатов приходится около половины известных в природе силикатов. Горные породы гранит и гнейс включают кварц, слюду, полевой шпат.

В состав растительного и животного мира кремний входит в незначительных кол-вах. Его содержат стебли некоторых видов овощей и хлебных злаков. Этим объясняется повышенная прочность стеблей этих растений. Панцири инфузорий, тела губок,яйца и перья птиц, шерсть животных, волосы, стекловидное тело глаза также содержат кремний.

Анализ обрасцов лунного грунта, доставленного кораблями показали присутствие оксида кремния в колве более 40 процентов. В составе каменных метеоритов содержание кремния до

СИЛИКОН — PubMed

. 1999 июнь; 50: 641-664.

doi: 10.1146/annurev.arplant.50.1.641.

Эмануэль Эпштейн ¹

принадлежность

• ¹ Департамент земельных, воздушных и водных ресурсов, почв и биогеохимии Калифорнийского университета в Дэвисе, Дэвис, Калифорния 95616-8627; электронная почта: eqepstein@ucdavis. edu

• PMID: 15012222
• DOI: 10.1146/аннурев.арзавод.50.1.641

Эмануэль Эпштейн. Annu Rev Plant Physiol Plant Mol Biol. 1999 июнь

. 1999 июня; 50: 641-664.

doi: 10.1146/annurev.arplant.50.1.641.

Автор

Эмануэль Эпштейн ¹

принадлежность

• ¹ Департамент земельных, воздушных и водных ресурсов, почв и биогеохимии, Калифорнийский университет в Дэвисе, Дэвис, Калифорния 95616-8627; электронная почта: eqepstein@ucdavis. edu

• PMID: 15012222
• DOI: 10.1146/аннурев.арзавод.50.1.641

Абстрактный

Кремний присутствует в растениях в количествах, эквивалентных количествам таких макроэлементов, как кальций, магний и фосфор, а в травах часто выше, чем любой другой неорганический компонент. Тем не менее, за исключением некоторых водорослей, в том числе диатомовых и Equisetaceae (хвощей или камыша), он не считается важным элементом для растений. В результате его обычно исключают из составов культуральных растворов и считают несущественным во многих физиологических исследованиях растений. Но лишенные кремния растения, выращенные в обычных питательных растворах, в которые не добавлялся кремний, во многом являются экспериментальными артефактами. Они часто структурно слабее, чем растения, насыщенные кремнием, имеют аномальный рост, развитие, жизнеспособность и размножение, более восприимчивы к таким абиотическим стрессам, как токсичность металлов, и являются более легкой добычей для болезнетворных организмов и травоядных, начиная от насекомых-фитофагов и заканчивая млекопитающими. Многие из этих условий поражают растения в почвах, бедных кремнием, и такие есть. Взятые вместе, доказательства того, что кремний следует включить в число элементов, имеющих большое значение для жизни растений, неопровержимы.

Похожие статьи

• Механизмы опосредованного кремнием смягчения абиотических стрессов у высших растений: обзор.

  Лян Ю., Сунь В., Чжу Ю.Г., Кристи П. Лян Ю и др. Загрязнение окружающей среды. 2007 г., май; 147(2):422-8. doi: 10.1016/j.envpol.2006.06.008. Epub 2006, 20 сентября. Загрязнение окружающей среды. 2007. PMID: 16996179 Обзор.

• Аномалия кремния в биологии растений.

  Эпштейн Э. Эпштейн Э. Proc Natl Acad Sci U S A. 1994 Jan 4; 91 (1): 11-7. doi: 10.1073/pnas.91.1.11. Proc Natl Acad Sci U S A. 1994. PMID: 11607449 Бесплатная статья ЧВК.

• Экология Австралии: последствия бедных питательными веществами почв и интенсивных пожаров.

  Орианс Г.Х., Милевский А.В. Орианс Г.Х. и соавт. Biol Rev Camb Philos Soc. 2007 авг;82(3):393-423. doi: 10.1111/j.1469-185X.2007.00017.x. Biol Rev Camb Philos Soc. 2007. PMID: 17624961 Обзор.

• Судьба мышьяка в почвенно-растительных системах.

  Морено-Хименес Э., Эстебан Э. , Пеньялоса Х.М. Морено-Хименес Э. и соавт. Rev Environ Contam Toxicol. 2012; 215:1-37. doi: 10.1007/978-1-4614-1463-6_1. Rev Environ Contam Toxicol. 2012. PMID: 22057929 Обзор.

• Является ли экология растений более кремнистой, чем мы думаем?

  Кук Дж., Лейшман М.Р. Кук Дж. и др. Тенденции Растениевод. 2011 Февраль; 16 (2): 61-8. doi: 10.1016/j.tplants.2010.10.003. Epub 2010 5 ноября. Тенденции Растениевод. 2011. PMID: 21087891

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

• Потенциальная роль биоугля и кремния в улучшении физико-биохимических и урожайных характеристик растений огуречника при различных режимах орошения.

  Фарук С., Аль-Хукаил А.А., Эль-Гамаль СМА. Фарук С. и др. Растения (Базель). 2023 10 апреля; 12(8):1605. doi: 10.3390/plants12081605. Растения (Базель). 2023. PMID: 37111829 Бесплатная статья ЧВК.

• Климатические факторы накопления кремния в модельной траве действуют в почвах с низким, но не высоким содержанием кремния.

  Джонсон С.Н., Вандегер Р.К., Боревиц Д.О., Хартли С.Е., Тиссью Д.Т., Холл К.Р. Джонсон С.Н. и соавт. Растения (Базель). 2023 февраль 22;12(5):995. doi: 10.3390/plants12050995. Растения (Базель). 2023. PMID: 36903856 Бесплатная статья ЧВК.

• Влияние недостаточного орошения на фотосинтетические характеристики, продуктивность и питательные качества тосканской капусты, выращенной в аэропонике (9).0113 Brassica oleracea L.) в тропической теплице.

  He J, Chang C, Qin L, Lai CH. Он Дж. и соавт. Int J Mol Sci. 2023 19 января; 24(3):2014. дои: 10.3390/ijms24032014. Int J Mol Sci. 2023. PMID: 36768337 Бесплатная статья ЧВК.

• Новая стратегия обеспечения кремнием путем фертигации сахарного тростника, объединяющая фазу предварительной прорастания и полевой обработки.

  Silva JLFD, Prado RM, Alves TL, Lata-Tenesaca LF, Soares MB. Сильва JLFD и др. Научный представитель 2023 г., 21 января; 13 (1): 1230. doi: 10.1038/s41598-022-27323-3. Научный представитель 2023. PMID: 36681705 Бесплатная статья ЧВК.

• Комбинация биохимических, молекулярных и синхротронных методов для изучения действия кремния на томат ( Solanum Lycopersicum L.).

  Мармироли М., Мусси Ф., Галло В., Джанончелли А., Хартли В. , Мармироли Н. Мармироли М. и др. Int J Mol Sci. 2022 13 декабря; 23 (24): 15837. дои: 10.3390/ijms232415837. Int J Mol Sci. 2022. PMID: 36555489 Бесплатная статья ЧВК.

Просмотреть все статьи «Цитируется по»

Силиконовые картинки | Скачать бесплатные картинки на Unsplash

Silicon Pictures | Скачать бесплатные изображения на Unsplash

• ФотоФотографии 208
• Пачка фотографийКоллекции 214
• Группа людейПользователи 140

электронная

техника

человек

компьютер

аксессуар

оборудование

электронный чип

современный

макрос

компьютерное оборудование

серый

пластина

Логотип Unsplash Unsplash+

В сотрудничестве с Getty Images

Unsplash+

Разблокировать

AdultPeople images & images35-39 years

Laura Ockel

electronicsrectangleHd современные обои

–––– –––– –––– – –––– –––– –– – –– –––– – – –– ––– –– –––– – –.

Laura Ockel

HD цветные обоиТекстура фоныбудущее

Laura Ockel

Hd обои компьютерпрямоугольникиглубина резкости

Niek Doup

cpuhandi7

9000 6 процессортехнологиикремниевая долина

Unsplash logo Unsplash+

В сотрудничестве с Getty Images

Unsplash+

Разблокировать

doctorurgeryhorizontal

Антон Максимов 5642.su

Hd grey wallpapersgemstonejewelry

Kier in Sight

белый песоккремнезем

Laura Ockel

кремниевая пластинамикрочипмикротехнологии

Laura Ockel

SpectrewaferHd геометрические обои

Laura Ockel

Hd узор обоимотивэлектронный

Логотип Unsplash Unsplash+

В сотрудничестве с Getty Images

Unsplash+

Разблокировать

больницамедицинские скрабыпациент

Behar Zenuni

Apple images & photosHd iphone wallpaperscase

Vishnu Mohanan

mysoreindiakarnataka

Jason Leung

techchipHD абстрактные обои

Антон Максимов 5642. su

Hd фиолетовые обоиКоричневый фонкристалл

Антон Максимов 5642.su

Угольрокантрацит

Логотип Unsplash Unsplash+

В сотрудничестве с Getty Images 0003

Hd синие обоиHd обои чикаго illinois

взрослыйЛюди фото35-39 лет

Hd обои компьютерпрямоугольникиглубина поле

процессортехнологиикремниевая долина

врачхирургиягоризонтальная

Hd серые обоидрагоценный каменьювелирные изделия

кремниевая пластинамикрочипмикротехнологии

спектрвафляHd геометрические обои

больницамедицинские халатыпациент

Apple images & photosHd iphone wallpaperscase

techchipHd абстрактные обои 9 0003

угольрокантрацит

голубые обои HD чикаго обои

–––– ––– – –––– – –––– – –––– –– – –– –––– – – –– ––– –– –––– – –.

электроникапрямоугольникHd современные обои

HD цветные картинкиТекстура фоныfuture

cpuhandi7

белый песоккремнезем

HD узор обоимотивelectronic

mysoreindiakarnataka

HD фиолетовые обоиКоричневый фонcrystal 9000 3

хирургпрофессиональная деятельностьпродукт красоты

взрослыйЛюди изображения и картинки35-39 лет

процессортехнологииСиликоновая долина

Hd серый обоидрагоценный каменьювелирные изделия

кремниевая пластинамикрочипмикротехнология

HD узор обоимотивэлектроника

HD фиолетовые обоиКоричневый фонКристалл

HD синие обоиHd Чикаго обоиСиллиноис

электроникапрямоугольникHd современные обои

Hd обои компьютерпрямоугольникиглубина резкости

врачи urgeryhorizontal

white sandsilica

Apple images & photosHd iphone wallpaperscase

techchipHD абстрактные обои

хирургпрофессиякосметический продукт

–––– –––– –––– – –––– – –––– –– – –– –––– – – –– ––– –– –––– – –.