Categories: РазноеAuthor alexxlabPosted on No comment on Селенид меди: Copper (I) Selenide Powder (CAS No.20405-64-5)- SAM

Селенид меди: Copper (I) Selenide Powder (CAS No.20405-64-5)- SAM

Селенид меди(II) | это… Что такое Селенид меди(II)?

Селенид меди(II) — неорганическое соединение, соль металла меди и селеноводородной кислоты с формулой CuSe, чёрные кристаллы, плохо растворяется в воде.

Содержание

  • 1 Получение
  • 2 Физические свойства
  • 3 Химические свойства
  • 4 Литература

Получение

  • Пропускание селеноводорода через раствор соли меди(II):
  • Действие паров селена на металлическую медь:
  • Нагревание хлорида меди(II) в токе селеноводорода:

Физические свойства

Селенид меди(II) образует чёрные кристаллы гексагональной сингонии, пространственная группа P 63/mmc, параметры ячейки a = 0,394 нм, c = 1,725 нм, Z = 6.

Плохо растворяется в воде.

Химические свойства

  • Разлагается при нагревании:

Литература

  • Справочник химика / Редкол.: Никольский Б.П. и др.. — 2-е изд., испр. — М.-Л.: Химия, 1966. — Т. 1. — 1072 с.
  • Рипан Р., Четяну И. Неорганическая химия. Химия металлов. — М.: Мир, 1972. — Т. 2. — 871 с.

Соединения меди

Азид меди(II) (Cu(N3)2) • Арсенат меди(II) (Cu3(AsO4)2) • Ацетат меди(I) (СН3СООCu) • Ацетат меди(II) ((СН3СОО)2Cu) • Ацетиленид меди(I) (Cu2C2) • Ацетиленид меди(II) (CuC2) • Бромид меди(I) (CuBr) • Бромид меди(II) (CuBr2) • Бромат меди(II) (Cu(BrO3)2) • Гексафторокупрат(III) калия (K3[CuF6]) • Гексафторосиликат меди(I) (Cu2[SiF6]) • Гексафторосиликат меди(II) (Cu[SiF6]) • Гидрид меди(I) (CuH) • Гидроксид меди(I) (CuOH) • Гидроксид меди(II) (Cu(OH)2) • Дигексателлуратокупрат(III) натрия (Na9[Cu(TeO6)2]) • Дигидроксодикарбонат меди(II) (Cu3(OH)2(CO3)2) • Дигидроксокарбонат меди(II) ((CuOH)2CO3) • Диортопериодатокупрат(III) калия (K

7[Cu(IO6)2]) • Дифосфид тримеди (Cu3P2) • Иодид меди(I) (CuI) • Иодат меди(II) (Cu(IO3)2) • Карбонат меди(II) (CuCO3) • Купрат(III) калия (KCuO2) • Метаборат меди(I) (CuBO2) • Метаборат меди(II) (Cu(BO2)2) • Нитрат меди(I) (CuNO3) • Нитрат меди(II) (Cu(NO3)2) • Нитрид меди (Cu3N) • Оксалат меди(II) (CuC2O4) • Оксид меди(I) (Cu2O) • Оксид меди(II) (CuO) • Оксид меди(III) (Cu2O3) • Ортофосфат меди(II) (Cu3(PO4)2) • «Парижская зелень» (Cu(CH3COO)2•3Cu(AsO2)2) • Периодады меди(II) • Полииодиды меди(II) (CuIn) • Роданид меди(I) (CuSCN) • Роданид меди(II) (Cu(SCN)2) • Селенат меди(II) (CuSeO4) • Селенид меди(I) (Cu2Se) • Селенид меди(II)
(CuSe) • Силицид димеди (Cu2Si) • Силицид пентамеди (Cu5Si) • Силицид тетрамеди (Cu4Si) • Сульфат меди(I) (Cu2SO4) • Сульфат меди(II) (CuSO4) • Сульфид меди(I) (Cu2S) • Сульфид меди(II) (CuS) • Сульфит меди(I) (Cu2SO3) • Теллурид меди(I) (Cu2Te) • Фенилмедь (CuC6H5) • Фосфат меди(I) (Cu3PO4) • Фосфаты меди(II) • Фосфид димеди (Cu2P) • Фосфид тримеди (Cu3P) • Фторид меди(I) (CuF) • Фторид меди(II) (CuF2) • Хлорат меди(II) (Cu(ClO3)2) • Хлорид меди(I) (CuCl) • Хлорид меди(II) (CuCl2) • Цианид меди(I) (CuCN) • Цианид меди(II) (Cu(CN)2) • Этилмедь (CuC2H6) •

 

Тонкопленочные солнечные элементы

Тонкопленочные солнечные элементы
  

Чопра К. , Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы: Пер. с англ. с сокращениями.— М.: Мир, 1986. — 435 с.

Монография индийских специалистов, посвященная тонким пленкам на основе полупроводниковых материалов, используемым в качестве солнечных элементов. Изложены методы осаждения и физические свойства многослойных пленок различных полупроводников, диэлектриков и металлов. Особое внимание уделено пленкам на основе сульфида меди и кремния. Рассмотрены новые виды солнечных элементов и новые направления в разработке высокоэффективных элементов.

Для специалистов в области солнечной энергетики, полупроводниковых приборов и тонкопленочной электроники, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.



Оглавление

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА
Глава 1. АНАЛИЗ СВОЙСТВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ И ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
1.2 Анализ свойств переходов
1. 2.1 Анализ вольт-амперных характеристик
1.2.2 Емкостные измерения
1.2.3 Емкостная спектроскопия глубоких уровней
1.3 Исследование характеристик материалов
1.3.1.1 Исследования кристаллической структуры
1.3.1.2 Исследование микроструктуры
1.3.2 Анализ состава материалов
1.3.3 Оптические характеристики
1.3.4 Электрические и оптоэлектронные характеристики
Глава 2. МЕТОДЫ ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК
2.2 Физическое осаждение из паровой фазы
2.2.1.2 Частицы пара
2.2.1.3 Реактивное испарение
2.2.1.4 Испарители
2.2.1.5 Вакуумное оборудование
2.2.2 Эпитаксиальное осаждение
2.2.2.1 Эпитаксиальное осаждение методом «горячих стенок»
2.2.2.2 Молекулярно-лучевая эпитаксия
2.2.2.3 Графоэпитаксия
2.2.3 Методы ионного распыления
2.2.3.1 Ионное распыление в тлеющем разряде
2.2.3.2 Магнетронное ионное распыление
2.2.3.3 Высокочастотное ионное распыление
2.2.3.4 Ионно-лучевое распыление
2.2.3.5 Ионное осаждение
2. 2.3.6 Реактивное ионное распыление
2.3 Методы химического осаждения
2.3.1.2 Кинетика роста пленок
2.3.1.3 Химические аспекты
2.3.1.4 Характерные особенности процесса пульверизации с последующим пиролизом
2.3.1.5 Получение соединений, содержащих легирующие примеси, и сплавов
2.3.1.6 Свойства пленок, получаемых методом пульверизации с последующим пиролизом
2.3.2 Осаждение пленок из раствора
2.3.2.2 Характерные особенности процесса осаждения пленок из раствора
2.3.2.3 Легирование
2.3.2.4 Пленки многокомпонентных соединений
2.3.2.5 Оксидные пленки
2.3.2.6 Основные свойства пленок, получаемых методом осаждения из раствора
2.3.3 Получение пленок методом трафаретной печати
2.3.4. Химическое осаждение из паровой фазы
2.3.5 Реакция замещения
2.3.6 Электролитическое осаждение
2.3.7 Анодирование
2.3.8 Электрофорез
2.4 Методы осаждения из жидкой фазы
2.4.1 Эпитаксия из жидкой фазы
2.4.2 Метод вытягивания лент из расплава
2. 5 Другие методы осаждения
Глава 3. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК, ПРИМЕНЯЕМЫХ В СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ
3.2 Полупроводниковые пленки
3.2.2 Селенид кадмия (CdSe)
3.2.3 Теллурид кадмия (CdTe)
3.2.4 Фосфид индия (InP)
3.2.5 Фосфид цинка (Zn3P2)
3.2.6 Арсенид галлия (GaAs)
3.2.7 Сульфид кадмия (CdS)
3.2.8 Селенид меди (Cu2Se)
3.2.9 Сульфид меди (Cu2S)
3.2.10 Селенид меди и индия (CuInSe2)
3.3 Прозрачные проводящие оксиды
3.3.1 Оксид кадмия (CdO)
3.3.2 Оксид олова (SnO2)
3.3.3 Оксид индия (In2O3)
3.3.4 Станнат кадмия (Cd2Sn04)
3.3.5 Оксид цинка (ZnO)
3.4 Кинетические явления в металлических пленках
3.5 Диэлектрические пленки
Глава 4. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА МЕДИ
4.2 Методы изготовления
4.2.2 Элементы, получаемые вакуумным испарением
4.2.3 Элементы, получаемые методом пульверизации с последующим пиролизом
4.3 Физические модели
4.4 Фотоэлектрические характеристики
4.5 Влияние различных способов обработки и свойств используемых материалов на характеристики элементов
4. 6. Энергетическая зонная диаграмма и механизмы потерь
4.7. Выводы
Глава 5. ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ КРЕМНИЕВЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
5.2. Современное состояние разработок массивных кремниевых солнечных элементов
5.3. Технология изготовления
5.4. Эффективность фотоэлектрического преобразования солнечного излучения
5.5. Направления дальнейших исследований
Глава 6. СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО КРЕМНИЯ
6.2. Кинетические явления в аморфных материалах
6.3. Осаждение гидрогенизированного аморфного кремния
6.4 Свойства пленок гидрогенизированного аморфного кремния
6.5 Солнечные элементы на основе гидрогенизированного аморфного кремния
6.6 Новые разработки
6.7 Направления дальнейших исследований
Глава 7. НОВЫЕ ТИПЫ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
7.2. Арсенид галлия
7.3 Теллурид кадмия (CdTe)
7.5 Фосфид цинка (Zn3P2)
7.6 Фосфид индия (InP)
7.7 Селенид меди и индия (CuInSe2)
7.8 Оксид меди (Cu2O)
7.9 Органические полупроводники
7. 10 Направления дальнейших исследований
Глава 8. НОВЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ В РАЗРАБОТКЕ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
8.2. Эффекты, вызываемые высоким уровнем интенсивности излучения
8.3 Новые конструкции обычных солнечных элементов
8.4 Каскадные солнечные элементы со сверхвысоким КПД

Механизм окисления селенида меди

  • Таскинен, Пекка
    • ;
  • Патана, Соня
    • ;
  • Кобылин, Петри
    • ;
  • Латостенмаа, Петри
Аннотация

Исследован механизм окисления селенида меди при температурах деселенизации анодных шламов рафинирования меди.

Изотермический обжиг синтетического массивного селенида меди в токе кислорода и смесях кислород — 20 % диоксида серы при 450-550 °С показывает, что в обеих атмосферах масса Cu 2 Se увеличивается во времени за счет образования селенит меди как промежуточный продукт. Селенид меди окисляется до оксидов меди без образования толстых чешуек селенита меди, а значительная часть селена испаряется в виде SeO 2 (г). Отложения продуктов окисления на Cu 2 Se пористые, что позволяет транспортировать кислород воздуха в зону реакции и пары диоксида селена в окружающий газ. Диаграммы площадей преобладания системы медь-селен, построенные для условий обжига селена, показывают, что стабильной фазой меди в газе печи обжига селена с SO 2 является сульфат CuSO 4 . Закись меди, образующаяся при разложении Cu 2 Se, далее сульфатируется до CuSO 4 .


Публикация:

Высокотемпературные материалы и процессы

Дата публикации:
сентябрь 2014 г.
DOI:
10.1515/HTMP-2013-0097
Биб-код:
2014HTMP…33..469T
Ключевые слова:
  • драгоценные металлы;
  • рафинирование меди;
  • бак-дом;
  • электролиз;
  • анодный шлам

WebElements Periodic Table » Медь » селенид меди

  • Формула: CuSe
  • Формула системы Хилла: Cu 1 Se 1
  • Регистрационный номер CAS: [1317-41-5]
  • Масса формулы: 142,506
  • Класс: селенид
  • Цвет: сине-черный
  • Внешний вид: кристаллическое твердое вещество
  • Температура плавления: 550°C (разлагается)
  • Температура кипения:
  • Плотность: 6000 кг·м -3

Ниже приведены некоторые синонимы селенида меди :

  • селенид меди
  • селенид меди(II)
  • селенид меди

Степень окисления меди в селениде меди равна 9. 0073 2 .

Синтез

Нет в наличии

Элементный анализ

В таблице показано процентное содержание элементов CuSe (селенид меди).

Элемент %
Медь 44,59
Se 55,41

Изотопная схема для CuSe

На приведенной ниже диаграмме показана рассчитанная изотопная картина для формулы CuSe с наиболее интенсивным ионом, установленным на 100%.

Каталожные номера

Данные на страницах этих соединений собраны и адаптированы из основной литературы и нескольких других источников, включая следующие.

  • Р.Т. Сандерсон в Chemical Periodicity , Reinhold, New York, USA, 1960.
  • Н.Н. Гринвуд и А. Эрншоу в Химия элементов , 2-е издание, Баттерворт, Великобритания, 1997.
  • Ф.А. Коттон, Г. Уилкинсон, К.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

*